LGS電光Q開關
這是一種采用LGS（硅酸鎵鑭）晶體設計的新型電光調Q開關。LGS系列Q開關是一種實用的電光器件，可用于中等輸出能量激光器，部分取代DKDP、RTP和LiNbO3等系列Q開關。
文件下載- 產品描述
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LGS（La3Ga5SiO14）是一種多功能晶體，三方晶系，與石英同屬32點群。它具有的兩個獨立電光系數，與BBO晶體的電光系數相當。LGS晶體有良好的溫度穩定性，中等的抗光傷閾值，機械強度好。相對而言，它的半波電壓較高，但可通過縱橫比予以調節。所以LGS可以作為一種新的電光晶體，可以補充DKDP和LN晶體的不足，適用于制作中等功率脈沖激光器用的Q開關等一類電光器件。
- 產品特性
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波長可達3.2μm
傳輸波前失真＜l/4
損傷閾值＞900MW/cm2
LGS可部分取代DKDP、RTP和LiNbO3等系列Q開關。
- 技術參數
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科瑞思創提供:
晶體尺寸
2?x?2?- 8 x?8 mm
外殼尺寸
20-35 mm
通光孔徑
8mm-20mm
消光比
＞500:1
透過畸變
<λ/6 @?633nm
整體透過率
＞98%?@?1064nm
電極間隔離性
<1
光潔度
20-10 (膜后40-20)
電容
8?pF
鍍膜AR
AR/AR @?1064nm?(R<0.2%)
損傷閾值
900MW/cm2?@1064nm?10ns 10Hz?
備注：以上參數為參考數據，具體產品技術要求請聯系銷售人員確認。